SSD 845 DC PROシリーズ 斜め
データセンターでは、爆発的に急増する企業や個人のデータ需要への対応、次世代アプリケーション開発に伴うストレージバックアップ需要への対応、増大するサーバー電力消費量の抑制などの課題を抱えています。
データ破損や思いがけない停電によって発生するデータ損傷も重大な懸念事項であり、停電などの不測の事態においても、高速レスポンスで優れたパフォーマンスと高い信頼性を維持しながら効率的に稼働できるストレージが必要とされています。
Samsung SSD 845DC PROシリーズ(以下、845DC PRO)は、厳選されたNANDフラッシュ、最適化された専用コントローラ、データセンター向けに開発されたファームウェア、信頼性の高い電源喪失保護機能を搭載することにより、高パフォーマンスを発揮しながらデータセンターの安定稼働をサポートします。
845DC PROには新世代NANDフラッシュ「Samsung 3D V-NAND」を採用。パフォーマンスと耐久性を大幅に向上し、ランダムアクセス(4K QD32)では読み出し92,000IOPS*、書き込み51,000IOPS*を実現。高負荷なワークロードの書き込みを多用するアプリケーションにおいて、その性能を発揮。最も要求の厳しいデータセンターの用途に適しています。
*値はいずれも最大値です。
製品シリーズ | Samsung SSD 845DC PROシリーズ | |||
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型番 | ベーシックキット | MZ-7WD800E/IT
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MZ-7WD400E/IT
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容量 | 800GB
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400GB
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外形寸法 (L×W×H ) | (100. 20±0.25) x (69.85±0.25) x (6.80±0.20) mm
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質量 | 最大65.0g
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インターフェース (転送速度:規格値) | SATA 3.0(6Gb/s) SATA 2.0(3Gb/s)およびSATA 1.0(1.5Gb/s)互換
ATA/ATAPI-7互換, ATA/ATAPI-8 一部互換 NCQ:最大32コマンド |
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フォームファクタ | 2.5インチHDD互換
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搭載デバイス | コントローラ | Samsung 3-Core MDX コントローラ
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NANDフラッシュ | Samsung 3D V-NAND 2bit MLC
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キャッシュメモリ | 1GB
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512MB
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パフォーマンス(*1) | シーケンシャル | 読み出し | 530 MB/s
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書き込み | 460 MB/s
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4KBランダム(QD32) | 読み出し | 92,000 IOPS (≒368MB/s)
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書き込み | 51,000 IOPS
(≒204MB/s) |
50,000 IOPS
(≒200MB/s) |
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QoS | 4KB, QD32 | 99.9% | 読み出し:0.6ms, 書き込み:5ms
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最大 | 読み出し:3ms, 書き込み:12ms
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レイテンシ | 4KB, QD1 | シーケンシャル | 読み出し:45us, 書き込み:40us
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ランダム | 読み出し:110us, 書き込み:50us
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耐久性 | 耐振動性 | (非動作時)20G(20~2000Hz)
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耐衝撃性 | (非動作時)1,500G/0.5ms (3 axis)
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MTBF(平均故障間隔) | 200万時間
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UBER(訂正不可能ビットエラーレート) | 1017 bit 読み出し中、1セクタ
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消費電力 | 動作時(Read/Write):
1.7W/3.1W 待機時:1.0W |
動作時(Read/Write):
1.7W/3.3W 待機時:1.0W |
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使用環境 | 温度範囲 | 0℃~70℃(動作時) -40℃~85℃(非動作時)
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湿度範囲 | 5%~95%(結露なきこと)
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各種取得規格・法規制 | CE,BSMI,KCC,VCCI,C-tick,FCC,IC,UL,TUV,CB,RoHS2指令準拠
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TBW(*2) | 10 DWPD (1日10回全容量書き換え)
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保証・サポート | 保証期間(*2) | 5年間
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製品サポート | Samsung SSDサポートセンターによる電話、メールサポート及び修理対応
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添付品 | 保証規定、Samsung SSD activatedシール
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