データセンター向けSamsung SSDSSD 845 DC PROシリーズ 仕様

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SSD 845DC PROシリーズ 斜め

SSD 845 DC PROシリーズ 斜め

※商品写真はイメージです。実際の外観とは異なる場合があります。
SSD 845 DC PROシリーズ

データセンターでは、爆発的に急増する企業や個人のデータ需要への対応、次世代アプリケーション開発に伴うストレージバックアップ需要への対応、増大するサーバー電力消費量の抑制などの課題を抱えています。
データ破損や思いがけない停電によって発生するデータ損傷も重大な懸念事項であり、停電などの不測の事態においても、高速レスポンスで優れたパフォーマンスと高い信頼性を維持しながら効率的に稼働できるストレージが必要とされています。

Samsung SSD 845DC PROシリーズ(以下、845DC PRO)は、厳選されたNANDフラッシュ、最適化された専用コントローラ、データセンター向けに開発されたファームウェア、信頼性の高い電源喪失保護機能を搭載することにより、高パフォーマンスを発揮しながらデータセンターの安定稼働をサポートします。

845DC PROには新世代NANDフラッシュ「Samsung 3D V-NAND」を採用。パフォーマンスと耐久性を大幅に向上し、ランダムアクセス(4K QD32)では読み出し92,000IOPS*、書き込み51,000IOPS*を実現。高負荷なワークロードの書き込みを多用するアプリケーションにおいて、その性能を発揮。最も要求の厳しいデータセンターの用途に適しています。

*値はいずれも最大値です。

製品の主な仕様

製品シリーズ Samsung SSD 845DC PROシリーズ
型番 ベーシックキット
MZ-7WD800E/IT
MZ-7WD400E/IT
容量
800GB
400GB
外形寸法
(L×W×H )
(100. 20±0.25) x (69.85±0.25) x (6.80±0.20) mm
質量
最大65.0g
インターフェース
(転送速度:規格値)
SATA 3.0(6Gb/s) SATA 2.0(3Gb/s)およびSATA 1.0(1.5Gb/s)互換
ATA/ATAPI-7互換, ATA/ATAPI-8 一部互換
NCQ:最大32コマンド
フォームファクタ
2.5インチHDD互換
搭載デバイス コントローラ
Samsung 3-Core MDX コントローラ
NANDフラッシュ
Samsung 3D V-NAND 2bit MLC
キャッシュメモリ
1GB
512MB
パフォーマンス(*1) シーケンシャル 読み出し
530 MB/s
書き込み
460 MB/s
4KBランダム(QD32) 読み出し
92,000 IOPS (≒368MB/s)
書き込み
51,000 IOPS
(≒204MB/s)
50,000 IOPS
(≒200MB/s)
QoS 4KB, QD32 99.9%
読み出し:0.6ms, 書き込み:5ms
最大
読み出し:3ms, 書き込み:12ms
レイテンシ 4KB, QD1 シーケンシャル
読み出し:45us, 書き込み:40us
ランダム
読み出し:110us, 書き込み:50us
耐久性 耐振動性
(非動作時)20G(20~2000Hz)
耐衝撃性
(非動作時)1,500G/0.5ms (3 axis)
MTBF(平均故障間隔)
200万時間
UBER(訂正不可能ビットエラーレート)
1017 bit 読み出し中、1セクタ
消費電力
動作時(Read/Write):
1.7W/3.1W 待機時:1.0W
動作時(Read/Write):
1.7W/3.3W
待機時:1.0W
使用環境 温度範囲
0℃~70℃(動作時) -40℃~85℃(非動作時)
湿度範囲
5%~95%(結露なきこと)
各種取得規格・法規制
CE,BSMI,KCC,VCCI,C-tick,FCC,IC,UL,TUV,CB,RoHS2指令準拠
TBW(*2)
10 DWPD (1日10回全容量書き換え)
保証・サポート 保証期間(*2)
5年間
製品サポート
Samsung SSDサポートセンターによる電話、メールサポート及び修理対応
添付品
保証規定、Samsung SSD activatedシール

サポート情報

問い合わせ先

法人向けSSD、SDカードについては、SAMSUNG SSD Online/SAMSUNG Memory Card Online(ITGマーケティング社運営)までお問い合わせください。

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