Samsung SSDSSD 850 EVO mSATAシリーズ 仕様

仕様書印刷
SSD 850 EVO mSATAシリーズ 正面

SSD 850 EVO mSATAシリーズ 正面

※商品写真はイメージです。実際の外観とは異なる場合があります。
SSD 850 EVO mSATA シリーズ

SSD 850 EVO mSATAの予備領域を高速バッファとして活用するターボライトテクノロジーを実装。パフォーマンスが出にくかった120GB~250GBの低容量帯モデルでも大容量モデルとほぼ同等のパフォーマンスが得られます。パソコンであらゆる利用を想定したランダム性能の最適化により、ランダム書き込み速度*1は前モデル比2倍以上もの高速化を達成。もちろん、大容量データの書き込みに必要なシーケンシャルリード・ライト性能も大幅に向上。SATA3インターフェイスの実効速度限界値に迫るライト520MB/sを実現しました。
※1: Random Write(QD32,120GB):(mSATA)88,000IOPS>(840 EVO)37,000IOPS、サムスン電子調べ

更に詳しい情報は、SAMSUNG SSD Online(ITGマーケティング社運営)にてご確認ください。
商品に関するお問い合わせ

本商品は法人のお客様向け専用商品です。

サポートページ
カタログ D/Lページ
商品フォトギャラリー
法人様導入事例

製品仕様

 
製品シリーズ Samsung SSD 850 EVO mSATA シリーズ
型番 ベーシックキット MZ-M5E1T0B/IT MZ-M5E 500B/IT MZ-M5E 250B/IT MZ-M5E 120B/IT
容量 1TB 500GB 250GB 120GB
インターフェース
(転送速度・規格値)
SATA3.0(6Gb/s) ※SATA2.0(3Gb/s) 及びSATA1.0(1.5Gb/s) 互換
フォームファクタ mSATA
搭載デバイス 外形寸法(L×W×H) 29.85×50.80×最大3.85(mm)
質量 最大10g
NANDフラッシュ Samsung 32層 3D V-NAND フラッシュ
コントローラ SamsungMEXコントローラ Samsung MGXコントローラ
キャッシュメモリ Samsung1GB Low Power DDR2 SDRAM Samsung 512MB Low Power DDR3 SDRAM
パフォーマンス※1 シーケンシャル 読み出し 540 MB/s
書き込み 520 MB/s
4KBランダム(QD1) 読み出し 10,000IOPS(≒ 39MB/s)
書き込み 40,000IOPS(≒156MB/s)
4KBランダム(QD32) 読み出し 97,000IOPS(≒380MB/s)
書き込み 88,000IOPS(≒344MB/s)
ターボライトテクノロジー
TRIMサポート ○ ※OSが対応している場合
ガベージコレクション
S.M.A.R.T(自己診断機能)
セキュリティ AES 256 bitフルディスク暗号化(FDE)、TCG/Opal V.2、Encrypted Drive(IEEE1667)
WWN(World Wide Name)
Device Sleep Mode(DEVSLP)
耐久性 耐衝撃性 1,500G/0.5ms(Half Sine)
MTBF(平均故障間隔) 150万時間
消費電力※2 平均 4.3W 3.3W 2.3W 2.2W
最大 5.7W 4.8W 3.6W 3.3W
アイドル時 50mW
DEVSLP時 2mW

使用環境

温度範囲 0℃-70℃
ソフトウエア※5 データ移行ソフトウエア Samsung Data Migration Ver2.7以降(日本語対応)※3 ※6
ユーティリティソフトウエア Samsung Magician Software Ver.4.6以降(日本語対応)※4 ※6
添付品 保証規定&ユーザーマニュアル
各種取扱規格 VCCI、RoHS指令準拠
TBW※7 150TB 75TB
保証・サポート 保証期間※7 5年間
製品サポート Samsung SSDサポートセンターによる電話、メールサポート及び修理対応

※1 値はいずれも最大値です。【Samsung SSD 850 EVO M.2, mSATAシリーズ測定環境】 Intel Core i7-4790k、4.0GHz、8GB DDR3 SDRAM(4GB×2) 1600MHz, チップセット Intel Z97チップセット搭載 Windows®7 Ultimate 64ビット版 SP1 シーケンシャル性能はCrystalDisk-Mark v.3.0.3を実行し測定。ランダム性能はlomater 1.1.0を実行し測定。シーケンシャル書き込み速度はターボライトテクノロジー動作時を測定。SSDはセカンダリドライブとして使用。【Samsung SSD 840 EVOシリーズ測定環境】 Intel Core i7-3770, 3.4GHz, 4GB DDR3 SDRAM(2GB×2) 1333Mbps; マザーボード Intel 7シリーズZ77チップセット搭載Asus社製。Windows®7 Ultimate 64ビット版 SP1。シーケンシャル性能はCrystalDiskMark v.3.0.1を実行し測定。ランダム性能はlomater 2010を実行し測定。シーケンシャル書き込み速度はターボライトテクノロジー動作時を測定。

※2 最大値。実際の消費電力は使用環境や設定によって異なる場合があります。

※3 対応OS:Windows®XP SP2(32bit) 以上、 Windows®Vista(32/64bit), Windows®7(32/64bit), Windows®8(32/64bit), Windows®8.1(32/64bit)。

※4 対応OS:Windows®XP SP2(32bit)以上, Windows®Vista(32/64bit), Windows®7(32/64bit), Windows®8(32/64bit), Windows®8.1(32/64bit)。 RAPIDモードはSamsung SSD 850EVO, 850 EVO M.2, 850 EVO mSATA, 850PRO, 840PRO, 840EVO, 840EVO mSATAシリーズで動作、Windows®7以降にて対応。

※5 ダウンロードが必要です。

※6 最新版へのアップデートが必要です。

※7 Samsung SSD 850 EVO M.2及びmSATAシリーズの製品保証は、期間(5年間) もしくは各容量毎に定められたTBW(Total Byte Written=総書込みバイト量) しきい値に到達した日の、いずれか短い期間までとなります。

サポート情報

問い合わせ先

法人向けSSD、SDカードについては、SAMSUNG SSD Online/SAMSUNG Memory Card Online(ITGマーケティング社運営)までお問い合わせください。

このページのトップへ
PC版を表示
注目コンテンツ続々【IOカタログアプリ】