「SDZ2133/ECシリーズ」はPC4-2133、DDR4-2133対応の260pin超高速ノートPC用メモリーです。
DDR4はDDR3の最大約2.6倍※1(理論値)のデータ転送レートを可能にしながら、電源電圧は1.2VとDDR3(1.5V)よりも低電圧を実現しています。
※1 一般的なDDR3-1600対応メモリーをデュアル・チャネルで動作させた場合と、DDR4-2133対応メモリーをクアッド・チャネルで動作させた場合のデータ転送レートを比較。
※ 機種により、ご利用いただける容量・枚数が異なりますので、必ず対応商品検索エンジン「PIO」でご確認ください。
SDZ2133/ECシリーズの対応機種は型番末尾に「/EC」が付かないSDZ2133シリーズと同じです。
型番 | JANコード | 仕様 | 価格 | 保守 | サポート/取説 | 備考 |
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SDZ2133-4G/EC | 4957180123332 | 4GB | オープン価格 |
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2019/9/4生産終了 |
SDZ2133-8G/EC | 4957180123349 | 8GB | オープン価格 |
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2019/9/4生産終了 |
PC4-2133、DDR4-2133対応の260pin超高速メモリーモジュールです。DDR4-2133規格での安定した動作を実現します。
従来の一般的なDDR3-1600対応メモリーモジュールを、デュアル・チャネルで動作させた場合のデータ転送レートは約25.4GB/秒(※)となります。
一方、DDR4-2133対応メモリーモジュールをクアッドチャネルで動作させた場合は約68.2GB/秒(※)と、約2.6倍の圧倒的な転送速度を実現します。
※メモリーの転送速度は理論値です。
クアッドチャネルとは、チップセット内部のメモリーコントローラーが同容量・同仕様であるメモリー4枚に同時アクセスすることで、データの転送速度を4倍にする技術です。
SDZ2133/ECシリーズはシングルチャネルの場合、理論値で約17GB/秒となりますが、クアッドチャネルでは約68GB/秒のデータ転送レートを誇ります。
DDR4-2133は搭載されているDRAM単体のスピードを表します。
メモリーモジュールのデータ転送速度が2133Mbpsのため、PC4-2133と表記します。
Double Data Rate 4 SDRAM
DDR規格以降のメモリーは、クロック信号(コンピューター各回路間の同期を取るための信号)の立ち上がり時・立ち下がり時の両方でデータの読み書きを実行できる、ダブルデータレート(DDR)モードで高速なデータ転送を実現しています。
DDR4 SDRAMは従来のDDR3 SDRAMと同じ8bitデータプリフェッチ(事前読出)となりますが、新たにバンクグループが導入され、異なるバンクグループに連続アクセスすることでデータ転送速度をDDR3の2倍に高めています。
さらに動作電圧もDDR3 SDRAMの1.5Vに対して1.2Vと低消費電力を実現し、パソコンのバッテリー稼働時間向上にも寄与します。
※ DDR4のバンクグループ
DDR3 SDRAMのメモリーセルアレイは8個のメモリーバンクに分割され、それぞれが一つの入出力バッファーに接続されていました。
これに対しDDR4 SDRAMでは2倍の16個のメモリーバンクに分割され、メモリーバンク4個ごとに一つの「バンクグループ」となっています。
入出力は各グループごとにローカルバッファーが用意されており、さらに一つのグローバルバッファーに接続されます。
異なるバンクグループに連続アクセスすることで、データ転送速度がDDR3の2倍に高まっています。
転送速度が高速化したことに伴い、DDR4にはノイズの影響から守るためのさまざまなエラー検出機能が搭載されています。
データ書き込み時にはデータ信号に加えCRC符号も合わせてDRAMに送り、DRAM内部で書き込みデータから生成したCRC符号と比較して、エラーを検出します。
また、コマンド信号とアドレス信号にはパリティを付加してエラー検出を行います。
エラーを見つけた場合にはメモリーコントローラへ通知し、これによりデータを高速転送しても高い信頼性を実現しています。
※エラー訂正機能は搭載していません。
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